Wir ziehen um. 
Die beiden Mosfets sollten an 24 Volt eigtl. nicht viel Unterschied machen.Mofi hat geschrieben: Ist es möglich den irfp250n zu verwenden und wenn ja, wie?
150 Ohm am Gate sind ziemlich viel, für schnelles Schalten nimmt man eher das was im Datenblatt zur Messung der Schaltzeiten genommen wird. Mit größerem Gatewiderstand schaltet der Mosfet langsamer, das verringert zwar Überschwingen beim ein- und aus-schalten erhöht jedoch gleichzeitig die Verluste im Mosfet und der wird heiß.
Deswegen sollte man eigtl. lieber den kleinst möglichen Widerstand nehmen und irgendwelches Überschwingen anderweitig verhindern. Bei der Ansteuerung zB. mit Zenerdioden/Schottkydioden als Ableiter am Gate und induktionsarmen Aufbau (kurze Leitungen!, wenig Fläche zwischen den Leitungen). Und im Leistungsteil kann man diverse Snubberschaltungen benutzen um Spannungs- und Stromänderungen am FET zu begrenzen.
Ich glaube allerdings dass das eher nicht so dein Ding ist, und langsam Schalten nebst dickem Kühlkörper an überdimensionierten FET eher zum Ziel führt :p
Um irgendwie abschätzen zu können was nicht funktioniert und wie sich die FETs verhalten ist es immer hilfreich das Signal zwischen Gate/Source bzw. Drain/Source (wenn die Spannung etc. es erlaubt) anzuschauen.
Hm?Dr.Fakk hat geschrieben:Die UF... Diode am Gate auf Norbis Skizze muss andersrum rein
Ist jetzt nicht unbedingt so unbeliebt den Mosfet schneller ein und etwas langsamer aus zuschalten:
http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
