Hallo Zusammen und vielen Dank! Ich habe auch gleich ein paar Fragen...
Ich habe mittlerweile einen Ringkern-Trafo der mit 230V / 30V angegeben ist, für ein eigenes Netzteil genommen. Der Trafo war in einem Labornetzteil verbaut welches für 30V & 5A ausgelegt war, er ist jedoch ziemlich überdimensioniert.
Die etwas mehr als 30V hab ich an einen Brückengleichrichter angeschlossen und den + Ausgang durch die in Serie geschalteten Sekundärwicklungen, eines kleineren 230V / 2 x 15V je 80VA Ringkerntrafo geleitet, um vorzuglätten. Anschliessend habe ich Kondensatoren mit einer Gesamtkapazität von 30000uF parallel dazu geschaltet. Zur Entladung ist ein 3.3kOhm Widerstand angelötet. Die Glättung funktioniert eigentlich relativ gut, aber ich habe vor allem bei Bässen Resonanzen die sich nach 100Hz anhören.. Ich habe mal in verschiedenen Foren nachgelesen aber die Meinungen gehen stark auseinander was die Grösse, Anzahl und Position der Spulen und Kondensatoren betrifft, manche empfehlen natürlich auch gleich ein Schaltnetzteil.
Ich habe mir vorgestellt die beiden Wicklungen jeweils vor und nach den Kondensatoren in Serie zu schalten und die Wickelrichtungen vielleicht entgegengesetzt anzuschliessen, macht das Sinn?
Das ganze hat auch praktisch keine Strombegrenzung, die Gleichspannung fällt im Betrieb auf 30V und der AC Strom vor dem Gleichrichter beträgt knapp 15A, was zur Folge hat, dass sich alle Spulen stark erwärmen und letztendlich zu heiss werden (Lötstellen lösen sich). Ich habe bereits versucht mit einem kurzgeschlossenem 300VA Ringkerntrafo auf der 230V Seite in Serie zum Netzteil-Trafo zu drosseln. Das hat aber keine wirkliche Verbesserung gebracht. Ich habe auch versucht den IGBT Treiber mit einer tieferen Spannung zu versorgen um so den Strom zu begrenzen, dabei wurden jedoch die IGBTs zerstört.
Was würdet ihr für eine möglichst Wärmeverlust freie Strombegrenzung vorschlagen?
Ein weiteres Problem ist, dass die IGBTs teilweise sehr empfindlich auf Frequenz- oder Wellenformänderungen reagieren und dabei draufgehen. MOSFETs geben entweder auch innerhalb kürzester Zeit auf oder haben enorme Wärmeverluste und übertragen viel weniger Leistung in den DST.
Mit dem Oszilloskop habe ich festgestellt, dass das push-pull Transistoren-Paar das Sinussignal des Funktionsgenerators schon gar nicht als solches wiedergibt sondern eher als Rechtecksignal und die Audiomodulation als Pulsweitenänderung auftritt. Das ist durch den fehlenden Basis Vorwiderstand bedingt, deshalb habe ich mal versucht mit einem Poti den Widerstand so einzustellen, dass tatsächlich nur die Sinusfunktion verstärkt wird, die Quittung kam prompt mit zerstörten IGBTs. Seither nutze ich direkt das Rechtecksignal vom FG.
Ich habe mich mal über Schaltverluste und Möglichkeiten diese zu minimieren informiert, einen Kondensator parallel zu den Transistoren habe ich bereits, nun gibt es ja verschiedene Snubber- Schaltungen bzw. Entlastungsnetzwerke, um die Einschalt- und Ausschaltverluste zu minimieren.
Würde es bei meiner Anwendung überhaupt Sinn machen ein Snubber- bzw. Entlastungsnetzwerk zu zu berechnen und aufzubauen oder wäre vielleicht eine andere Art Ansteuerung der IGBTs wie z.B. ZVS sinnvoller?
Ich habe mal den aktuellen Schaltplan aufgezeichnet, morgen kommen noch neue IGBT's mit kürzeren Ein- und Ausschaltzeiten sowie höheren Wärmeverlustgrenzen.
Die 5-10A an der Endstufe habe ich als Grenzwert für eine akzeptable Wärmeentwicklung an der Primärwicklung am DST gedacht.
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