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BeitragVerfasst: Do 5. Okt 2017, 22:24 
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Schule/Uni/Arbeit: Student (Informatik)
Hallo Leute,
wie so oft habe auch ich eine vermutlich etwas doofe Frage zu der ich aber noch keine ausreichende Antwort gefunden hab.
Wenn ich zwei (oder mehr) MOSFETs parallel schalte, wie verhält es sich dann mit dem Gesamtwiderstand der beiden MOSFETs ? Wird das dann berechnet wie ein Ohmscher Widerstand oder bleibt auch bei der Parallelschaltung der R(DS(on)) des einzelnen erhalten?

Danke :)


Zuletzt geändert von Jumper am Fr 6. Okt 2017, 09:07, insgesamt 1-mal geändert.

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BeitragVerfasst: Fr 6. Okt 2017, 07:37 
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Hallo Jumper

Es gibt keine doofen Fragen. Eine Frage hat in aller Regel eine Berechtigung, sonst müsste sie nicht gestellt werden.

Es gelten auch hier die Gesetze der Parallelschaltung, wie bei "normalen" Widerständen. Wenn die beiden On-Widerstände genau gleich sind, ergibt sich auch eine gleiche Stromaufteilung resp. der halbe On-Widerstand. In der Praxis muss man jedoch etwas aufpassen, weil dies meist nicht sauber gegeben ist, bzw. weil immer auch eine Temperaturdrift der FETs vorliegt, die sich ungünstig auf die Stromverteilung auswirken kann. Auch das korrekte Timing sollte beachtet werden. Wenn die FETs nicht genau gleichzeitig schalten, nimmt derjneige, der früher schaltet, die gesamte Verlustleistung auf sich und stirbt.

Gruss kilovolt

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Alle Angaben meinerseits ohne Gewähr! Ich lehne jegliche Haftung für Personen- und/oder Sachschäden ab. Jeder ist für seine Sicherheit selber verantwortlich.

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BeitragVerfasst: Fr 6. Okt 2017, 09:11 
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Schule/Uni/Arbeit: Student (Informatik)
Hallo Kilovolt,

danke für die schnelle und gute Antwort! :)

Ja, dass es immer etwas kritisch ist FETs parallel zu schalten ist mir bewusst. Ich will mit einer Push-Pull Schaltung arbeiten und der einzelne FET ist in der Lage die komplette Last zu stemmen (im Moment läuft die Schaltung mit einem) Die Parallelschaltung soll nur den Spannungsabfall reduzieren.


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BeitragVerfasst: Fr 6. Okt 2017, 10:55 
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Ja genau, hinsichtlich dem Spannungsabfall über dem FET wird eine Parallelschaltung sicher eine Verbesserung bringen. Leider verdoppelt sich damit natürlich auch die Gatekapazität, wodurch die Ansteuerung mehr Leistung braucht, damit die FETs sauber und schnell genug schalten. Bei tiefen Frequenzen spielt das kaum eine Rolle, bei höheren dann jedoch schon.

Beste Grüsse
kilovolt

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BeitragVerfasst: Fr 6. Okt 2017, 13:18 
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Spezialgebiet: CW SSTCs
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Haben MOSFETs nicht einen negativen Temperaturkoeffizienten, was zumindest im statischen Betrieb die Last nach einer Einpendelzeit aufteilen sollte?

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"A condition where insufficient dead time exists is a destructive condition."
Texas Instruments, TL494 Appnote, Kapitel 4.4.2

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BeitragVerfasst: Fr 6. Okt 2017, 16:29 
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@ ebastler Ja, haben sie (für gewöhnlich) was hier natürlich sehr günstig ist :)

@ kilovolt ich fahre mit ca. 16khz und einem Dutycicle von 30%. Der NE könnte die beiden noch schaffen aber vorsichtshalber werde ich wie oben geschrieben ein Push-Pull Schaltung zur Verstärkung einsetzen.


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BeitragVerfasst: Sa 7. Okt 2017, 05:02 
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Jumper hat geschrieben:
@ ebastler Ja, haben sie (für gewöhnlich) was hier natürlich sehr günstig ist :)

Ähh, nee.
Der ist positiv. Höhere Temp = höherer Widerstand wodurch sich eine Reduzierung des Stromes am wärmeren Mosfet ergibt.

bastl_r


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BeitragVerfasst: Sa 7. Okt 2017, 19:58 
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Ach ich verwechsel das immer -_-
Danke! Aber Hauptsache positiv für meine Zwecke ;-)


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BeitragVerfasst: Mo 9. Okt 2017, 17:43 
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Epic Spam Warrior
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Ups, ich komme da auch immer mit dem Vorzeichen durcheinander, scheint mir :D

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BeitragVerfasst: Do 12. Okt 2017, 03:41 
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Naja. Bei BiPos habt ihr ja Recht, weswegen man da Symmetrierwiderständr einbauen muss.

badtl_r


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BeitragVerfasst: Sa 14. Okt 2017, 14:28 
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Epic Spam Warrior
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Ich verwechsel die Ausdrücke positiver/negativer Koeffizient, das ist mein Problem :D
Also, welcher Ausdruck effektiv welchem Verhalten entspricht.

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